| 제조업체 부품 번호 : | ALD1110EPAL |
|---|---|
| RoHS 상태 : | ROHS3 준수 |
| 제조업체 / 브랜드 : | Advanced Linear Devices Inc. |
| 재고 상태 : | 재고 |
| 기술 : | MOSFET 2N-CH 10V 8DIP |
| 에서 운송된다 : | 홍콩 |
| 사양서 : | ALD1110EPAL.pdf |
| 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| 부품 번호 | ALD1110EPAL |
|---|---|
| 제조사 | Advanced Linear Devices, Inc. |
| 기술 | MOSFET 2N-CH 10V 8DIP |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | ROHS3 준수 |
| 사용 가능한 양 | 재고 |
| 사양서 | ALD1110EPAL.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.01V @ 1µA |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-PDIP |
| 연속 | EPAD® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 500Ohm @ 5V |
| 전력 - 최대 | 600mW |
| 패키지 / 케이스 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 패키지 | Tube |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| FET 특징 | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 10V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| 구성 | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| 기본 제품 번호 | ALD1110 |
ALD1115SALMOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC
ALD110914PALMOSFET 2N-CH 10.6V 8DIPALD1115PALMOSFET N/P-CH 10.6V 8DIPALD110914SALMOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC
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