| 제조업체 부품 번호 : | QS6U22TR |
|---|---|
| RoHS 상태 : | ROHS3 준수 |
| 제조업체 / 브랜드 : | Rohm Semiconductor |
| 재고 상태 : | 재고 |
| 기술 : | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
| 에서 운송된다 : | 홍콩 |
| 사양서 : | QS6U22TR(1).pdfQS6U22TR(2).pdfQS6U22TR(3).pdfQS6U22TR(4).pdf |
| 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| 부품 번호 | QS6U22TR |
|---|---|
| 제조사 | LAPIS Technology |
| 기술 | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | ROHS3 준수 |
| 사용 가능한 양 | 재고 |
| 사양서 | QS6U22TR(1).pdfQS6U22TR(2).pdfQS6U22TR(3).pdfQS6U22TR(4).pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2V @ 1mA |
| Vgs (최대) | ±12V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TSMT6 (SC-95) |
| 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 215mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| 전력 소비 (최대) | 1.25W (Ta) |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 270 pF @ 10 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 3 nC @ 4.5 V |
| FET 유형 | P-Channel |
| FET 특징 | Schottky Diode (Isolated) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.5A (Ta) |
| 기본 제품 번호 | QS6U22 |
QS6K21TRMOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6QS6K21FRATR45V NCH+NCH SMALL SIGNAL MOSFETQS6K1TRMOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6QS6J1TRMOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6QS6K1FRATR2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET (CORREQS6M4TRMOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6QS6U24TRMOSFET P-CH 30V 1A TSMT6QS6M3TRMOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6QS6Z5TRTRANS NPN/PNP 50V 1A TSMT6QS6J3TRMOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6