| 제조업체 부품 번호 : | CSD25304W1015T |
|---|---|
| RoHS 상태 : | ROHS3 준수 |
| 제조업체 / 브랜드 : | 알려지지 않은 |
| 재고 상태 : | 982 pcs Stock |
| 기술 : | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA |
| 에서 운송된다 : | 홍콩 |
| 사양서 : | |
| 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| 부품 번호 | CSD25304W1015T |
|---|---|
| 제조사 | |
| 기술 | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | ROHS3 준수 |
| 사용 가능한 양 | 982 pcs |
| 사양서 | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1.15V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 6-DSBGA (1x1.5) |
| 연속 | NexFET™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 32.5mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| 전력 소비 (최대) | 750mW (Ta) |
| 패키지 / 케이스 | 6-UFBGA, DSBGA |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 595 pF @ 10 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 4.4 nC @ 4.5 V |
| FET 유형 | P-Channel |
| FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A (Ta) |
| 기본 제품 번호 | CSD25304W1015 |
CSD25302Q2MOSFET P-CH 20V 5A 6SONCSD25401Q3MOSFET P-CH 20V 14A/60A 8VSONCSD25402Q3ATMOSFET P-CH 20V 15A/76A 8VSONCSD25310Q2MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
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CSD25213W10MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGACSD25301W1015MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA