제조업체 부품 번호 : | MSCSM120HM31CTBL2NG |
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RoHS 상태 : | ROHS3 준수 |
제조업체 / 브랜드 : | Microchip Technology |
재고 상태 : | 재고 |
기술 : | PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2 |
에서 운송된다 : | 홍콩 |
사양서 : | MSCSM120HM31CTBL2NG(1).pdfMSCSM120HM31CTBL2NG(2).pdfMSCSM120HM31CTBL2NG(3).pdfMSCSM120HM31CTBL2NG(4).pdfMSCSM120HM31CTBL2NG(5).pdf |
선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
부품 번호 | MSCSM120HM31CTBL2NG |
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제조사 | Micrel / Microchip Technology |
기술 | PM-MOSFET-SIC-SBD-BL2 |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | ROHS3 준수 |
사용 가능한 양 | 재고 |
사양서 | MSCSM120HM31CTBL2NG(1).pdfMSCSM120HM31CTBL2NG(2).pdfMSCSM120HM31CTBL2NG(3).pdfMSCSM120HM31CTBL2NG(4).pdfMSCSM120HM31CTBL2NG(5).pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.8V @ 1mA |
과학 기술 | Silicon Carbide (SiC) |
제조업체 장치 패키지 | - |
연속 | - |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 31mOhm @ 40A, 20V |
전력 - 최대 | 310W |
패키지 / 케이스 | Module |
패키지 | Bulk |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Chassis Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3020pF @ 1000V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 232nC @ 20V |
FET 특징 | - |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 1200V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 79A |
구성 | 4 N-Channel (Full Bridge) |
기본 제품 번호 | MSCSM120 |