제조업체 부품 번호 : | HUFA76633S3ST |
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RoHS 상태 : | |
제조업체 / 브랜드 : | onsemi |
재고 상태 : | 재고 |
기술 : | MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK |
에서 운송된다 : | 홍콩 |
사양서 : | HUFA76633S3ST(1).pdfHUFA76633S3ST(2).pdfHUFA76633S3ST(3).pdf |
선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
부품 번호 | HUFA76633S3ST |
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제조사 | AMI Semiconductor/onsemi |
기술 | MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
사용 가능한 양 | 재고 |
사양서 | HUFA76633S3ST(1).pdfHUFA76633S3ST(2).pdfHUFA76633S3ST(3).pdf |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 3V @ 250µA |
Vgs (최대) | ±16V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | D²PAK (TO-263) |
연속 | UltraFET™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 35mOhm @ 39A, 10V |
전력 소비 (최대) | 145W (Tc) |
패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1820 pF @ 25 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
FET 유형 | N-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 39A (Tc) |
기본 제품 번호 | HUFA76 |