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집제품 센터이산 반도체 제품트랜지스터-fet, 모스 펫-어레이FF11MR12W1M1B11BOMA1
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FF11MR12W1M1B11BOMA1

제조업체 부품 번호 : FF11MR12W1M1B11BOMA1
RoHS 상태 : ROHS3 준수
제조업체 / 브랜드 : Infineon Technologies
재고 상태 : 재고
기술 : MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
에서 운송된다 : 홍콩
사양서 : FF11MR12W1M1B11BOMA1(1).pdfFF11MR12W1M1B11BOMA1(2).pdfFF11MR12W1M1B11BOMA1(3).pdfFF11MR12W1M1B11BOMA1(4).pdfFF11MR12W1M1B11BOMA1(5).pdf
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부품 번호 FF11MR12W1M1B11BOMA1
제조사 Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
기술 MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
무연 여부 / RoHS 준수 여부 ROHS3 준수
사용 가능한 양 재고
사양서 FF11MR12W1M1B11BOMA1(1).pdfFF11MR12W1M1B11BOMA1(2).pdfFF11MR12W1M1B11BOMA1(3).pdfFF11MR12W1M1B11BOMA1(4).pdfFF11MR12W1M1B11BOMA1(5).pdf
아이디 @ VGS (일) (최대) 5.55V @ 40mA
과학 기술 Silicon Carbide (SiC)
제조업체 장치 패키지 Module
연속 CoolSiC™+
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) 11mOhm @ 100A, 15V
전력 - 최대 -
패키지 / 케이스 Module
패키지 Tray
작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Chassis Mount
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7950pF @ 800V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 250nC @ 15V
FET 특징 -
소스 전압에 드레인 (Vdss) 1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A
구성 2 N-Channel (Dual)
기본 제품 번호 FF11MR12
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와이어 전송 :

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