| 제조업체 부품 번호 : | IRF7807VD2 |
|---|---|
| RoHS 상태 : | RoHS 미준수 |
| 제조업체 / 브랜드 : | Infineon Technologies |
| 재고 상태 : | 재고 |
| 기술 : | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO |
| 에서 운송된다 : | 홍콩 |
| 사양서 : | IRF7807VD2(1).pdfIRF7807VD2(2).pdfIRF7807VD2(3).pdf |
| 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| 부품 번호 | IRF7807VD2 |
|---|---|
| 제조사 | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| 기술 | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | RoHS 미준수 |
| 사용 가능한 양 | 재고 |
| 사양서 | IRF7807VD2(1).pdfIRF7807VD2(2).pdfIRF7807VD2(3).pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SO |
| 연속 | FETKY™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 25mOhm @ 7A, 4.5V |
| 전력 소비 (최대) | 2.5W (Ta) |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 패키지 | Tube |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | Schottky Diode (Isolated) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 30 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8.3A (Ta) |
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