| 제조업체 부품 번호 : | EPC8002 |
|---|---|
| RoHS 상태 : | ROHS3 준수 |
| 제조업체 / 브랜드 : | EPC |
| 재고 상태 : | 53742 pcs Stock |
| 기술 : | GANFET N-CH 65V 2A DIE |
| 에서 운송된다 : | 홍콩 |
| 사양서 : | EPC8002(1).pdfEPC8002(2).pdfEPC8002(3).pdfEPC8002(4).pdfEPC8002(5).pdfEPC8002(6).pdf |
| 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| 부품 번호 | EPC8002 |
|---|---|
| 제조사 | EPC |
| 기술 | GANFET N-CH 65V 2A DIE |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | ROHS3 준수 |
| 사용 가능한 양 | 53742 pcs |
| 사양서 | EPC8002(1).pdfEPC8002(2).pdfEPC8002(3).pdfEPC8002(4).pdfEPC8002(5).pdfEPC8002(6).pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (최대) | +6V, -4V |
| 과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 제조업체 장치 패키지 | Die |
| 연속 | eGaN® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 530mOhm @ 500mA, 5V |
| 전력 소비 (최대) | - |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 21 pF @ 32.5 V |
| FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 65 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A (Ta) |
EPC8004ENGRTRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIEEPC8002ENGRTRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
EPC8004GANFET N-CH 40V 4A DIEEPC8003ENGRTRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIEEPC8005ENGRTRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE