| 제조업체 부품 번호 : | BS2101F-E2 |
|---|---|
| RoHS 상태 : | ROHS3 준수 |
| 제조업체 / 브랜드 : | Rohm Semiconductor |
| 재고 상태 : | 145 pcs Stock |
| 기술 : | IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP |
| 에서 운송된다 : | 홍콩 |
| 사양서 : | BS2101F-E2(1).pdfBS2101F-E2(2).pdfBS2101F-E2(3).pdfBS2101F-E2(4).pdf |
| 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| 부품 번호 | BS2101F-E2 |
|---|---|
| 제조사 | LAPIS Technology |
| 기술 | IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8SOP |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | ROHS3 준수 |
| 사용 가능한 양 | 145 pcs |
| 사양서 | BS2101F-E2(1).pdfBS2101F-E2(2).pdfBS2101F-E2(3).pdfBS2101F-E2(4).pdf |
| 전압 - 공급 | 10V ~ 18V |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SOP |
| 연속 | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 60ns, 20ns |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TA) |
| 입력 주파수 | 2 |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 논리 전압 - VIL, VIH | 1V, 2.6V |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 하이 사이드 전압 - 최대 (부트 스트랩) | 600 V |
| 게이트 유형 | IGBT, N-Channel MOSFET |
| 구동 구성 | High-Side or Low-Side |
| 전류 - 피크 출력 (소스, 싱크) | 60mA, 130mA |
| 베이스 - 이미 터 포화 전압 (최대) | Synchronous |
| 기본 제품 번호 | BS2101 |
BS20P-SHF-1AA(LF)(SN)CONN HEADER R/A 20POS 2.5MM
BS2103F-E2IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOP
BS2132F-E2600V HIGH VOLTAGE 3 PHASE BRIDGE
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