| 제조업체 부품 번호 : | R6535KNZC8 |
|---|---|
| RoHS 상태 : | ROHS3 준수 |
| 제조업체 / 브랜드 : | Rohm Semiconductor |
| 재고 상태 : | 재고 |
| 기술 : | MOSFET N-CH 650V 35A TO3 |
| 에서 운송된다 : | 홍콩 |
| 사양서 : | R6535KNZC8.pdf |
| 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| 부품 번호 | R6535KNZC8 |
|---|---|
| 제조사 | LAPIS Technology |
| 기술 | MOSFET N-CH 650V 35A TO3 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | ROHS3 준수 |
| 사용 가능한 양 | 재고 |
| 사양서 | R6535KNZC8.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 5V @ 1.21mA |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-3PF |
| 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 115mOhm @ 18.1A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 102W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-3P-3 Full Pack |
| 패키지 | Tube |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3000 pF @ 25 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
| FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | R6535 |
R6535KNZ4C13650V 35A TO-247, HIGH-SPEED SWITR6535ENZC8MOSFET N-CH 650V 35A TO3R6547KNZ4C13MOSFET N-CH 650V 47A TO247R6576ENZ4C13650V 76A TO-247, LOW-NOISE POWERR6547ENZ4C13650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWERR6535ENZC17MOSFET N-CH 650V 35A TO3R6576KNZ4C13650V 76A TO-247, HIGH-SPEED SWITR6535KNX3C16650V 35A, TO-220AB, HIGH-SPEED SR6535KNZC17MOSFET N-CH 650V 35A TO3R6535ENZ4C13650V 35A TO-247, LOW-NOISE POWER