| 제조업체 부품 번호 : | SH8ME5TB1 |
|---|---|
| RoHS 상태 : | ROHS3 준수 |
| 제조업체 / 브랜드 : | Rohm Semiconductor |
| 재고 상태 : | 재고 |
| 기술 : | 100V 4.5A DUAL NCH+PCH, SOP8, PO |
| 에서 운송된다 : | 홍콩 |
| 사양서 : | |
| 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| 부품 번호 | SH8ME5TB1 |
|---|---|
| 제조사 | LAPIS Technology |
| 기술 | 100V 4.5A DUAL NCH+PCH, SOP8, PO |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | ROHS3 준수 |
| 사용 가능한 양 | 재고 |
| 사양서 | |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 1mA |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-SOP |
| 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 58mOhm @ 4.5A, 10V, 91mOhm @ 4.5A, 10V |
| 전력 - 최대 | 2W (Ta) |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 305pF @ 50V, 2100pF @ 50V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.7nC @ 10V, 52nC @ 10V |
| FET 특징 | Standard |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A (Ta) |
| 구성 | - |
| 기본 제품 번호 | SH8ME5 |
SH8MC5TB160V 6.5A/7.0A DUAL NCH+PCH, SOP8SH8M4TB1MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
SH8M70TB1MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8SH8M41TB1MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8SH8MA3TB1SH8MA3TB1 IS LOW ON-RESISTANCE ASH8M5TB1MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8SH8M51GZETB4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51SH8MA2GZETBSH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LOSH8MA4TB1SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE ASH8MB5TB140V DUAL NCH+PCH, SOP8, POWER MO