| 제조업체 부품 번호 : | TT8M1TR |
|---|---|
| RoHS 상태 : | ROHS3 준수 |
| 제조업체 / 브랜드 : | Rohm Semiconductor |
| 재고 상태 : | 3003 pcs Stock |
| 기술 : | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8 |
| 에서 운송된다 : | 홍콩 |
| 사양서 : | TT8M1TR(1).pdfTT8M1TR(2).pdfTT8M1TR(3).pdfTT8M1TR(4).pdf |
| 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| 부품 번호 | TT8M1TR |
|---|---|
| 제조사 | LAPIS Technology |
| 기술 | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | ROHS3 준수 |
| 사용 가능한 양 | 3003 pcs |
| 사양서 | TT8M1TR(1).pdfTT8M1TR(2).pdfTT8M1TR(3).pdfTT8M1TR(4).pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 1mA |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | 8-TSST |
| 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 72mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| 전력 - 최대 | 1W |
| 패키지 / 케이스 | 8-SMD, Flat Lead |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 260pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.6nC @ 4.5V |
| FET 특징 | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.5A |
| 구성 | N and P-Channel |
| 기본 제품 번호 | TT8M1 |
TT8K11TCRMOSFET 2N-CH 30V 3A TSST8
TT8MMEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TTL T&R
TT8M-TMEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TTL T&RTT8M_HFMEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TTL T&RTT8M2TRMOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8TT8M3TRMOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8TT8K1TRMOSFET 2N-CH 20V 2.5A TSST8TT8U1TRMOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSSTTT8K2TRMOSFET 2N-CH 30V 2.5A TSST8TT8T08-13MEDIUM/HIGH POWER BRIDGE TTL T&R