| 제조업체 부품 번호 : | VT6M1T2CR |
|---|---|
| RoHS 상태 : | ROHS3 준수 |
| 제조업체 / 브랜드 : | Rohm Semiconductor |
| 재고 상태 : | 66726 pcs Stock |
| 기술 : | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 |
| 에서 운송된다 : | 홍콩 |
| 사양서 : | VT6M1T2CR(1).pdfVT6M1T2CR(2).pdfVT6M1T2CR(3).pdfVT6M1T2CR(4).pdf |
| 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| 부품 번호 | VT6M1T2CR |
|---|---|
| 제조사 | LAPIS Technology |
| 기술 | MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | ROHS3 준수 |
| 사용 가능한 양 | 66726 pcs |
| 사양서 | VT6M1T2CR(1).pdfVT6M1T2CR(2).pdfVT6M1T2CR(3).pdfVT6M1T2CR(4).pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 1V @ 100µA |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | VMT6 |
| 연속 | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V |
| 전력 - 최대 | 120mW |
| 패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7.1pF @ 10V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| FET 특징 | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 20V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100mA |
| 구성 | N and P-Channel |
| 기본 제품 번호 | VT6M1 |
VT60M45C-M3/4WDIODE SCHOTTKY 45V TO220
VT6J1T2CRMOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6VT6K1T2CRMOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6VT6X11T2RNPN+NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFICVT6T1T2RPNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFICVT60M120CHM3/4WDIODE SCHOTTKY 120V TO220VT60M45CHM3/4WDIODE SCHOTTKY 45V TO220VT6T2T2RPNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFICVT6T12T2RTRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PINVT6T11T2RPNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC