부품 번호 | CSD23202W10 |
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제조사 | |
기술 | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | ROHS3 준수 |
사용 가능한 양 | 4785 pcs |
사양서 | |
아이디 @ VGS (일) (최대) | 900mV @ 250µA |
Vgs (최대) | -6V |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
제조업체 장치 패키지 | 4-DSBGA (1x1) |
연속 | NexFET™ |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 53mOhm @ 500mA, 4.5V |
전력 소비 (최대) | 1W (Ta) |
패키지 / 케이스 | 4-UFBGA, DSBGA |
패키지 | Tape & Reel (TR) |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 512 pF @ 6 V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V |
FET 유형 | P-Channel |
FET 특징 | - |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.5V, 4.5V |
소스 전압에 드레인 (Vdss) | 12 V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.2A (Ta) |
기본 제품 번호 | CSD23202 |