| 제조업체 부품 번호 : | STB7NK80Z-1 |
|---|---|
| RoHS 상태 : | ROHS3 준수 |
| 제조업체 / 브랜드 : | STMicroelectronics |
| 재고 상태 : | 재고 |
| 기술 : | MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK |
| 에서 운송된다 : | 홍콩 |
| 사양서 : | STB7NK80Z-1(1).pdfSTB7NK80Z-1(2).pdfSTB7NK80Z-1(3).pdfSTB7NK80Z-1(4).pdf |
| 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| 부품 번호 | STB7NK80Z-1 |
|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics |
| 기술 | MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | ROHS3 준수 |
| 사용 가능한 양 | 재고 |
| 사양서 | STB7NK80Z-1(1).pdfSTB7NK80Z-1(2).pdfSTB7NK80Z-1(3).pdfSTB7NK80Z-1(4).pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.5V @ 100µA |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | I2PAK |
| 연속 | SuperMESH™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 1.8Ohm @ 2.6A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 125W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 패키지 | Tube |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1138 pF @ 25 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 800 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 5.2A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | STB7NK80 |
STB80NF03L-04-1MOSFET N-CH 30V 80A I2PAK
STB76NF80MOSFET N-CH 80V 80A D2PAKSTB7ANM60NMOSFET N-CH 600V 5A D2PAKSTB80NE03L-06T4MOSFET N-CH 30V 80A D2PAKSTB80N20M5MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
STB78NF55-08MOSFET N-CH 55V 80A D2PAKSTB7NK80ZT4MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAKSTB76NF75MOSFET N-CH 75V 80A D2PAKSTB80N4F6AGMOSFET N-CH 40V 80A D2PAKSTB7N52K3MOSFET N-CH 525V 6A D2PAK