| 제조업체 부품 번호 : | STH140N6F7-2 |
|---|---|
| RoHS 상태 : | ROHS3 준수 |
| 제조업체 / 브랜드 : | STMicroelectronics |
| 재고 상태 : | 재고 |
| 기술 : | MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2 |
| 에서 운송된다 : | 홍콩 |
| 사양서 : | STH140N6F7-2(1).pdfSTH140N6F7-2(2).pdf |
| 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| 부품 번호 | STH140N6F7-2 |
|---|---|
| 제조사 | STMicroelectronics |
| 기술 | MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-2 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | ROHS3 준수 |
| 사용 가능한 양 | 재고 |
| 사양서 | STH140N6F7-2(1).pdfSTH140N6F7-2(2).pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | H2Pak-2 |
| 연속 | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 3mOhm @ 40A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 158W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 작동 온도 | 175°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | STH140 |
STH12N120K5-2AGAUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 1200
STH130N8F7-2MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2STH15NB50FIMOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
STH140N6F7-6MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6
STH13009TRANS NPN 400V 12A TO220STH13N120K5-2AGMOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2STH145N8F7-2AGMOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2STH150N10F7-2MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2STH140N8F7-2MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2STH130N10F3-2MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK-2