제조업체 부품 번호 : | G4S06506HT |
---|---|
RoHS 상태 : | |
제조업체 / 브랜드 : | Global Power Technology-GPT |
재고 상태 : | 재고 |
기술 : | DIODE SIL CARB 650V 9.7A TO220F |
에서 운송된다 : | 홍콩 |
사양서 : | G4S06506HT.pdf |
선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
부품 번호 | G4S06506HT |
---|---|
제조사 | SemiQ |
기술 | DIODE SIL CARB 650V 9.7A TO220F |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
사용 가능한 양 | 재고 |
사양서 | G4S06506HT.pdf |
전압 - 순방향 (Vf를) (최대) @ 경우 | 1.8 V @ 6 A |
전압 - 역방향 (Vr) (최대) | 650 V |
과학 기술 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
제조업체 장치 패키지 | TO-220F |
속도 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
연속 | - |
역 회복 시간 (trr) | 0 ns |
패키지 / 케이스 | TO-220-2 Full Pack |
패키지 | Cut Tape (CT) |
작동 온도 - 정션 | -55°C ~ 175°C |
실장 형 | Through Hole |
전류 - 누설 Vr에서 역방향 | 50 µA @ 650 V |
전류 - 평균 정류 (Io) | 9.7A |
VR, F @ 용량 | 181pF @ 0V, 1MHz |