| 제조업체 부품 번호 : | TP65H015G5WS |
|---|---|
| RoHS 상태 : | |
| 제조업체 / 브랜드 : | Transphorm |
| 재고 상태 : | 263 pcs Stock |
| 기술 : | 650 V 95 A GAN FET |
| 에서 운송된다 : | 홍콩 |
| 사양서 : | TP65H015G5WS.pdf |
| 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| 부품 번호 | TP65H015G5WS |
|---|---|
| 제조사 | Transphorm |
| 기술 | 650 V 95 A GAN FET |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | |
| 사용 가능한 양 | 263 pcs |
| 사양서 | TP65H015G5WS.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 4.8V @ 2mA |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 제조업체 장치 패키지 | TO-247-3 |
| 연속 | SuperGaN™ |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 18mOhm @ 60A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 266W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 패키지 | Tube |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5218 pF @ 400 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 650 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 93A (Tc) |
TP60CACAP FILM TRIM
TP65H035WSQAGANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3TP65H035G4WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3TP65H050G4BS650 V 34 A GAN FETTP60CAP FILM TRIMTP65H035WSGANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3TP65H035G4WSQA650 V 46.5 GAN FETTP60CCAP FILM TRIMTP65H050G4WS650 V 34 A GAN FETTP6CAP FILM TRIM