| 제조업체 부품 번호 : | SIR876DP-T1-GE3 |
|---|---|
| RoHS 상태 : | ROHS3 준수 |
| 제조업체 / 브랜드 : | Vishay Siliconix |
| 재고 상태 : | 재고 |
| 기술 : | MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 |
| 에서 운송된다 : | 홍콩 |
| 사양서 : | SIR876DP-T1-GE3(1).pdfSIR876DP-T1-GE3(2).pdfSIR876DP-T1-GE3(3).pdf |
| 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| 부품 번호 | SIR876DP-T1-GE3 |
|---|---|
| 제조사 | Vishay / Siliconix |
| 기술 | MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8 |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | ROHS3 준수 |
| 사용 가능한 양 | 재고 |
| 사양서 | SIR876DP-T1-GE3(1).pdfSIR876DP-T1-GE3(2).pdfSIR876DP-T1-GE3(3).pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.8V @ 250µA |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 제조업체 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 |
| 연속 | TrenchFET® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 10.8mOhm @ 20A, 10V |
| 전력 소비 (최대) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1640 pF @ 50 V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| FET 유형 | N-Channel |
| FET 특징 | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100 V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40A (Tc) |
| 기본 제품 번호 | SIR876 |
SIR872DP-T1-GE3MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8SIR880BDP-T1-RE3N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWESIR873DP-T1-GE3MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8SIR876ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8SIR878BDP-T1-RE3MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAKSIR878ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8SIR878DP-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8SIR874DP-T1-GE3MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8SIR876BDP-T1-RE3N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POWSIR880ADP-T1-GE3MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8