| 제조업체 부품 번호 : | EPC2106 |
|---|---|
| RoHS 상태 : | ROHS3 준수 |
| 제조업체 / 브랜드 : | EPC |
| 재고 상태 : | 83465 pcs Stock |
| 기술 : | GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE |
| 에서 운송된다 : | 홍콩 |
| 사양서 : | EPC2106(1).pdfEPC2106(2).pdfEPC2106(3).pdfEPC2106(4).pdf |
| 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| 부품 번호 | EPC2106 |
|---|---|
| 제조사 | EPC |
| 기술 | GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIE |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | ROHS3 준수 |
| 사용 가능한 양 | 83465 pcs |
| 사양서 | EPC2106(1).pdfEPC2106(2).pdfEPC2106(3).pdfEPC2106(4).pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 600µA |
| 과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 제조업체 장치 패키지 | Die |
| 연속 | eGaN® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 70mOhm @ 2A, 5V |
| 전력 - 최대 | - |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 75pF @ 50V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.73nC @ 5V |
| FET 특징 | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 100V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.7A |
| 구성 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 기본 제품 번호 | EPC210 |
EPC2106ENGRTGAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
EPC2108ENGRTTRANS GAN 3N-CH BUMPED DIEEPC2105GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRIDEPC2107ENGRTTRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIEEPC2105ENGRTGANFET 2NCH 80V 9.5A DIEEPC2107GANFET 3 N-CH 100V 9BGAEPC2108GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGAEPC2104ENGRTGANFET 2NCH 100V 23A DIE
EPC2104ENGTRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
EPC2105ENGTRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE