| 제조업체 부품 번호 : | EPC2108ENGRT |
|---|---|
| RoHS 상태 : | 무연 / RoHS 준수 |
| 제조업체 / 브랜드 : | EPC |
| 재고 상태 : | 재고 |
| 기술 : | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE |
| 에서 운송된다 : | 홍콩 |
| 사양서 : | EPC2108ENGRT.pdf |
| 선적 방법 : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| 부품 번호 | EPC2108ENGRT |
|---|---|
| 제조사 | EPC |
| 기술 | TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 |
| 사용 가능한 양 | 재고 |
| 사양서 | EPC2108ENGRT.pdf |
| 아이디 @ VGS (일) (최대) | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| 제조업체 장치 패키지 | 9-BGA (1.35x1.35) |
| 연속 | eGaN® |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대) | 190 mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3 Ohm @ 2.5A, 5V |
| 전력 - 최대 | - |
| 포장 | Original-Reel® |
| 패키지 / 케이스 | 9-VFBGA |
| 다른 이름들 | 917-EPC2108ENGRDKR |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL) | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | Lead free / RoHS Compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 22pF @ 30V, 7pF @ 30V |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| FET 유형 | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| FET 특징 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss) | 60V, 100V |
| 상세 설명 | Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 60V, 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.7A, 500mA |
EPC2111ENGRTTRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
EPC2112ENGRTIC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
EPC2110GANFET 2NCH 120V 3.4A DIEEPC2106ENGRTGAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIEEPC2108GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGAEPC2110ENGRTGAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIEEPC2111GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRIDEPC2106GANFET TRANS SYM 100V BUMPED DIEEPC2107GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
EPC2107ENGRTTRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE